高中生患罕见病 母亲搀扶参加成人礼
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重要突破,有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。据介绍,原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强,被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而,晶格缺陷诱导的自发电子掺杂和费米能级钉扎效应,使现有二维半导体材料体系长期呈现N型材料多、P型材料少,以及N型材料性能好,P型材料性能差的结构性失衡问题。针对上述问题,研究团
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